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論文

Electron irradiation effects on CVD-grown 3C-SiC epilayers

伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇*; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III and Other Group IV-IV Materials, p.143 - 148, 1992/00

化学気相成長(Chemical Vapor Deposition; CVD)法によりSi上にエピタキシャル成長させて作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)に対する1MeV電子線照射効果を、ファン・デア・ポー(van der pauw)法を用いたキャリア濃度、移動度測定により調べた。この結果、3C-SiCの室温におけるキャリア濃度n、移動度$$mu$$は、照射量1$$times$$10$$^{17}$$e/cm$$^{2}$$から3$$times$$10$$^{18}$$e/cm$$^{2}$$の範囲で照射量$$Phi$$増加と共に減少することが解った。これより、キャリア濃度及び移動度に対する損傷係数として各々-$$Delta$$n/$$Delta$$$$Phi$$=3.8$$times$$10$$^{-3}$$cm$$^{-1}$$、$$Delta$$$$mu$$$$^{-1}$$/$$Delta$$$$Phi$$=3.2$$times$$10$$^{-22}$$Vsなる値が得られた。これらの値はSiに対する損傷係数と比較し小さいことから、3C-SiCはSiと比べ高い耐放射線性を有することが示唆された。

論文

Gamma-ray irradiation effects on cubic silicon carbide metal-oxide-semiconductor structure

吉川 正人; 森田 洋右; 伊藤 久義; 梨山 勇*; 三沢 俊二*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, p.393 - 398, 1992/00

3C-SiC MOS構造の照射効果を高周波C-V特性を用いて研究した。その結果、3C-SiC/SiO$$_{2}$$界面に界面準位が発生し酸化膜中に固定電荷が蓄積した。これらの量は照射中にMOS構造のゲートに印加されるバイアス極性に依存し、無バイアス及び正バイアスでは、吸収線量の2/3乗に比例して増加した。また負バイアスではまったく増加が認められなかった。この関係はSi-MOS構造の実験結果とよく一致するが、その発生量及び蓄積量はSi-MOS構造のそれよりもはるかに少なかった。

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